型号: SSM3J35MFV,L3F
功能描述: MOSFET Small-signal MOSFET ID -0.1A, -20V VDSS
制造商: Toshiba
制造商: Toshiba
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23F-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: P-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Id-连续漏极电流: 100 mA
Rds On-漏源导通电阻: 4.3 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Qg-栅极电荷: -
最小工作温度: -
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 150 mW
配置: Single
通道模式: Enhancement
系列: SSM3J35MFV
晶体管类型: 1 P-Channel
商标: Toshiba
正向跨导 - 最小值: 77 mS
产品类型: MOSFET
工厂包装数量: 8000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 251 ns
典型接通延迟时间: 175 ns
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