型号: SSM3J46CTB(TPL3)
功能描述: Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
产品培训模块： Small Signal MOSFET
标准包装： 10,000
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： -
包装： 带卷（TR）
FET 类型： MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能： 逻辑电平栅极，1.5V 驱动
漏源极电压（Vdss）： 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 2A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 103 毫欧 @ 1.5A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 1V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 4.7nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 290pF @ 10V
功率 - 最大值： 1W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 3-SMD，无引线
供应商器件封装： CST3B
其它名称： SSM3J46CTB (TPL3)SSM3J46CTB(TPL3)TRSSM3J46CTBTPL3
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