型号: SSM3K2615TU,LF
功能描述: MOSFET LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=60V
制造商: Toshiba
制造商: Toshiba
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: UFM-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 2 A
Rds On-漏源导通电阻: 300 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 800 mV
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 6 nC
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.6 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: Reel
系列: SSM3K2615TU
商标: Toshiba
正向跨导 - 最小值: 1 S
下降时间: 50 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 25 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 150 ns
典型接通延迟时间: 30 ns
单位重量: 6.600 mg
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