型号:  SSM3K315T(TE85L)

功能描述:   MOSFET N-CH 30V 6A TSM

制造商:  Toshiba

Rohs：  Lead free / RoHS Compliant

标准包装：  3,000

FET 型 ：  MOSFET N-Channel, Metal Oxide

FET特点：  Logic Level Gate

漏极至源极电压（VDSS）：  30V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：  6A

Rds（最大）@ ID，VGS：  27.6 mOhm @ 4A, 10V

VGS（TH）（最大）@ Id：  2.5V @ 1mA

栅极电荷（Qg）@ VGS：  10.1nC @ 10V

输入电容（Ciss）@ Vds的：  450pF @ 15V

功率 - 最大：  700mW

安装类型 ：  Surface Mount

包/盒 ：  TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件封装：  TSM (2.9x2.8)

包装材料 ：  Tape & Reel (TR)

FET特点：  Logic Level Gate

封装：  Tape & Reel (TR)

安装类型：  Surface Mount

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：  6A (Ta)

的Vgs（th ） （最大）@ Id：  2.5V @ 1mA

封装/外壳：  TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商设备封装：  TSM

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：  27.6 mOhm @ 4A, 10V

FET型：  MOSFET N-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大：  700mW

标准包装：  3,000

漏极至源极电压（Vdss）：  30V

输入电容（Ciss ） @ VDS：  450pF @ 15V

闸电荷（Qg ） @ VGS：  10.1nC @ 10V

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant