型号: SSM3K324R
功能描述: Toshiba N沟道 MOSFET SSM3K324R, 4 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23F封装
制造商: Toshiba
通道类型： N
最大连续漏极电流： 4 A
最大漏源电压： 30 V
最大漏源电阻值： 109 m0hms
最大栅阈值电压： 1V
最小栅阈值电压： 0.4V
最大栅源电压： ±12 V
封装类型： SOT-23F
安装类型： 表面贴装
引脚数目： 3
晶体管配置： 单
通道模式： 增强
最大功率耗散： 1 W
典型接通延迟时间： 9 ns
典型关断延迟时间： 9.5 ns
典型输入电容值@Vds： 200 pF @ 10 V
典型栅极电荷@Vgs： 2.2 nC @ 4.5 V
每片芯片元件数目： 1
宽度： 1.8mm
长度： 2.9mm
高度： 0.7mm
正向二极管电压： 1.2V
尺寸： 2.9 x 1.8 x 0.7mm
最高工作温度： +150 °C
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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