型号:  SSM3K361R,LF

功能描述:  MOSFET U-MOSVIII-H 100V 3.5A 3.2nC MOSFET

制造商:  Toshiba

制造商:  Toshiba

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SOT-23-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  100 V

Id-连续漏极电流:  3.5 A

Rds On-漏源导通电阻:  92 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  1.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

Qg-栅极电荷:  3.2 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 175 C

Pd-功率耗散:  1.2 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  0.9 mm

长度:  2.9 mm

产品:  MOSFETs

系列:  SSM3K36

晶体管类型:  1 N-Channel

宽度:  1.3 mm

商标:  Toshiba

下降时间:  9 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  7 ns

工厂包装数量:  3000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  21 ns

典型接通延迟时间:  16 ns

单位重量:  8 mg