型号: SSM6G18NU,LF
功能描述: SMALL SIGNAL MOSFET P-CH + SBD V
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
系列: -
零件状态: 有源
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 2A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 1.5V，4.5V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 112 毫欧 @ 1A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 1V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）: 4.6nC @ 4.5V
Vgs（最大值）: ±8V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 270pF @ 10V
FET 功能: 肖特基二极管（隔离式）
功率耗散（最大值）: 1W（Ta）
工作温度: 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 6-UDFN（2x2）
封装/外壳: 6-WDFN 裸露焊盘
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