型号: SSM6J214FE(TE85L,F
功能描述: MOSFET LowON Res MOSFET ID=-3.6A VDSS=-30V
制造商: Toshiba
制造商: Toshiba
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-563-6
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: P-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 3.6 A
Rds On-漏源导通电阻: 50 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压: 12 V
Qg-栅极电荷: 7.9 nC
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 700 mW
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: Reel
高度: 0.55 mm
长度: 1.6 mm
系列: SSM6J214FE
宽度: 1.2 mm
商标: Toshiba
正向跨导 - 最小值: 5.7 S
产品类型: MOSFET
工厂包装数量: 4000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 75 ns
典型接通延迟时间: 15 ns
联系人：王静
电话：13261242936
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：樊勉
电话：17621743344
Q Q:
联系人：颜小姐
电话：13380394549
Q Q:
联系人：上官
电话：15811007881
Q Q:
联系人：黃小姐
电话：13760273155
Q Q:
联系人：sals
电话：755-82317766
Q Q:
