型号:  SSM6J51TU(TE85L,F)

功能描述:   MOSFET P-CH 12V 4A UF6

制造商:  Toshiba

Rohs：  Lead free / RoHS Compliant

标准包装：  3,000

FET 型 ：  MOSFET P-Channel, Metal Oxide

FET特点：  Logic Level Gate

漏极至源极电压（VDSS）：  12V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：  4A

Rds（最大）@ ID，VGS：  54 mOhm @ 2A, 2.5V

VGS（TH）（最大）@ Id：  1V @ 1mA

栅极电荷（Qg）@ VGS：  -

输入电容（Ciss）@ Vds的：  1700pF @ 10V

功率 - 最大：  500mW

安装类型 ：  Surface Mount

包/盒 ：  6-SMD, Flat Leads

供应商器件封装：  UF6 (2.0x2.1)

包装材料 ：  Tape & Reel (TR)

FET特点：  Logic Level Gate, 1.5V Drive

封装：  Tape & Reel (TR)

安装类型：  Surface Mount

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：  4A (Ta)

的Vgs（th ） （最大）@ Id：  1V @ 1mA

供应商设备封装：  UF6

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：  54 mOhm @ 2A, 2.5V

FET型：  MOSFET P-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大：  500mW

标准包装：  3,000

漏极至源极电压（Vdss）：  12V

输入电容（Ciss ） @ VDS：  1700pF @ 10V

封装/外壳：  6-SMD, Flat Leads

其他名称：  SSM6J51TU(TE85LF)CT

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant