型号:  SSM6K202FE(TE85L,F

功能描述:   MOSFET Vds=30V Id=2.3A 6Pin

制造商:  Toshiba

Rohs：  Lead free / RoHS Compliant

标准包装：  4,000

FET 型 ：  MOSFET N-Channel, Metal Oxide

FET特点：  Logic Level Gate

漏极至源极电压（VDSS）：  30V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：  2.3A

Rds（最大）@ ID，VGS：  85 mOhm @ 1.5A, 4V

VGS（TH）（最大）@ Id：  1V @ 1mA

栅极电荷（Qg）@ VGS：  -

输入电容（Ciss）@ Vds的：  270pF @ 10V

功率 - 最大：  500mW

安装类型 ：  Surface Mount

包/盒 ：  SOT-563, SOT-666

供应商器件封装：  ES6 (1.6x1.6)

包装材料 ：  Tape & Reel (TR)

最大门源电压：  ±12

安装：  Surface Mount

包装宽度：  1.2

PCB：  6

最大功率耗散：  500

最大漏源电压：  30

欧盟RoHS指令：  Compliant

最大漏源电阻：  85@4V

每个芯片的元件数：  1

最低工作温度：  -55

供应商封装形式：  ES

标准包装名称：  EMT

最高工作温度：  150

渠道类型：  N

包装长度：  1.6

引脚数：  6

通道模式：  Enhancement

包装高度：  0.55

最大连续漏极电流：  2.3

封装：  Tape and Reel

铅形状：  Flat