型号: SSM6K217FE,LF
功能描述: MOSFET Small Signal MOSFET
制造商: Toshiba
制造商: Toshiba
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: ES6-6
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
Id-连续漏极电流: 1.8 A
Rds On-漏源导通电阻: 400 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 500 mV
Vgs - 栅极-源极电压: 12 V
Qg-栅极电荷: 1.1 nC
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 500 mW (1/2 W)
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
高度: 0.55 mm
长度: 1.6 mm
系列: SSM6K
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 1.2 mm
商标: Toshiba
产品类型: MOSFET
工厂包装数量: 4000
子类别: MOSFETs
单位重量: 8.200 mg
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