型号: SSM6K30FE
功能描述: MOSFET Vds=20V Id=1.2A 6Pin
制造商: Toshiba
产品种类： MOSFET
晶体管极性： P-Channel
汲极/源极击穿电压： 20 V
闸/源击穿电压： +/- 20 V
漏极连续电流： 1.2 A
配置： Single Quad Drain
最大工作温度： + 150 C
安装风格： SMD/SMT
封装 / 箱体： ES-6
商标： Toshiba
最小工作温度： - 55 C
功率耗散： 500 mW
工厂包装数量： 8000
ROHS： 无铅
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