型号: SSM6K361NU,LF
功能描述: MOSFET LowON Res MOSFET ID=3.5A VDSS=100V
制造商: Toshiba
制造商: Toshiba
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: UDFN6B-6
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 3.5 A
Rds On-漏源导通电阻: 51 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 3.2 nC
最小工作温度: -
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.25 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: Toshiba
下降时间: 7 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 9 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 16 ns
典型接通延迟时间: 21 ns
单位重量: 8.500 mg
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