型号:  SSM6L16FE(TE85L,F)

功能描述:   Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.1A 6-Pin ES T/R

制造商:  Toshiba

最大门源电压：  ±10

欧盟RoHS指令：  Compliant

最高工作温度：  150

通道模式：  Enhancement

标准包装名称：  EMT

最低工作温度：  -55

渠道类型：  N|P

封装：  Tape and Reel

最大漏源电阻：  3000@4V@N Channel|8000@4V@P Channel

最大漏源电压：  20

每个芯片的元件数：  2

供应商封装形式：  ES

最大功率耗散：  150

最大连续漏极电流：  0.1

引脚数：  6

铅形状：  Flat

FET特点：  Logic Level Gate

安装类型：  Surface Mount

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：  100mA (Ta)

的Vgs（th ） （最大）@ Id：  1.1V @ 100µA

系列：  *

供应商设备封装：  ES6

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：  8 Ohm @ 10mA, 4V

FET型：  N and P-Channel

功率 - 最大：  150mW

标准包装：  4,000

漏极至源极电压（Vdss）：  20V

输入电容（Ciss ） @ VDS：  9.3pF @ 3V

封装/外壳：  SOT-563, SOT-666

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

其他名称：  SSM6L16FE(TE85LF)CT