SSM6N15AFE,LM规格参数_SSM6N15AFE,LM全国代理商/分销商

型号: SSM6N15AFE,LM
功能描述: Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
标准包装： 4,000
类别：分立半导体产品
家庭： FET - 阵列
系列： -
包装：带卷（TR）
FET 类型： 2 个 N 沟道（双）
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）： 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 100mA
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 4 欧姆 @ 10mA，4V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 1.5V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： -
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 7.8pF @ 3V
功率 - 最大值： 150mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳： SOT-563，SOT-666
供应商器件封装： ES6（1.6x1.6）
其它名称： SSM6N15AFE,LM(TSSM6N15AFELMSSM6N15FE (TE85L,F)SSM6N15FE(TE85LF)TRSSM6N15FETE85LF