型号:  SSM6N15FE(TE85L,F)

功能描述:   Trans MOSFET N-CH 30V 0.1A 6-Pin ES T/R

制造商:  toshiba

Rohs：  Lead free / RoHS Compliant

标准包装：  4,000

FET 型 ：  2 N-Channel (Dual)

FET特点：  Logic Level Gate

漏极至源极电压（VDSS）：  30V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：  100mA

Rds（最大）@ ID，VGS：  4 Ohm @ 10mA, 4V

VGS（TH）（最大）@ Id：  1.5V @ 100µA

栅极电荷（Qg）@ VGS：  -

输入电容（Ciss）@ Vds的：  7.8pF @ 3V

功率 - 最大：  150mW

安装类型 ：  Surface Mount

包/盒 ：  SOT-563, SOT-666

供应商器件封装：  ES6 (1.6x1.6)

包装材料 ：  Tape & Reel (TR)

包装：  6ES

通道模式：  Enhancement

最大漏源电压：  30 V

最大连续漏极电流：  0.1 A

RDS -于：  4000@4V mOhm

最大门源电压：  ±20 V

工作温度：  -55 to 150 °C

安装：  Surface Mount

标准包装：  Tape & Reel

最大门源电压：  ±20

欧盟RoHS指令：  Compliant

最高工作温度：  150

标准包装名称：  EMT

最低工作温度：  -55

渠道类型：  N

封装：  Tape and Reel

最大漏源电阻：  4000@4V

最大漏源电压：  30

每个芯片的元件数：  2

供应商封装形式：  ES

最大功率耗散：  150

最大连续漏极电流：  0.1

引脚数：  6

铅形状：  Flat

FET特点：  Logic Level Gate

安装类型：  Surface Mount

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：  100mA

的Vgs（th ） （最大）@ Id：  1.5V @ 100µA

供应商设备封装：  ES6 (1.6x1.6)

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：  4 Ohm @ 10mA, 4V

FET型：  2 N-Channel (Dual)

功率 - 最大：  150mW

漏极至源极电压（Vdss）：  30V

输入电容（Ciss ） @ VDS：  7.8pF @ 3V

封装/外壳：  SOT-563, SOT-666

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

其他名称：  SSM6N15FE(TE85LF)CT

工厂包装数量：  4000

产品种类：  MOSFET

晶体管极性：  N-Channel

源极击穿电压：  +/- 20 V

连续漏极电流：  0.1 A

安装风格：  SMD/SMT

功率耗散：  150 mW

最低工作温度：  - 55 C

封装/外壳：  SOT-563

配置：  Dual

最高工作温度：  + 150 C