型号: SSM6N16FUTE85LF
功能描述: MOSFET N-Ch Sm Sig FET 0.1A -0.1A 20V 2-in1
制造商: Toshiba
制造商: Toshiba
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-363-6
通道数量: 2 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Id-连续漏极电流: 100 mA
Rds On-漏源导通电阻: 5.2 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.1 V
Pd-功率耗散: 200 mW
配置: Dual
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
高度: 0.9 mm
长度: 2 mm
系列: SSM6N16
晶体管类型: 2 N-Channel
宽度: 1.25 mm
商标: Toshiba
产品类型: MOSFET
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 125 ns
典型接通延迟时间: 70 ns
单位重量: 7.500 mg
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