型号:  SSM6N35AFE,LF

功能描述:  MOSFET LowON Res MOSFET ID=.25A VDSS=20V

制造商:  Toshiba

制造商:  Toshiba

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SOT-563-6

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  20 V

Id-连续漏极电流:  250 mA

Rds On-漏源导通电阻:  750 mOhms, 750 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  350 mV

Vgs - 栅极-源极电压:  10 V

Qg-栅极电荷:  340 pC, 340 pC

最小工作温度:  -

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  250 mW (1/4 W)

配置:  Dual

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

系列:  SSM6N35AFE

晶体管类型:  2 N-Channel

商标:  Toshiba

正向跨导 - 最小值:  0.5 S, 0.5 S

下降时间:  5.5 ns, 5.5 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  2 ns, 2 ns

工厂包装数量:  4000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  6.5 ns, 6.5 ns

典型接通延迟时间:  2 ns, 2 ns

单位重量:  3 mg