型号: SSM6N35FE
功能描述: Toshiba 双 N沟道 MOSFET SSM6N35FE, 180 mA, Vds=20 V, 6引脚 SOT-563封装
制造商: Toshiba
通道类型： N
最大连续漏极电流： 180 mA
最大漏源电压： 20 V
最大漏源电阻值： 20 0hms
最大栅阈值电压： 1V
最小栅阈值电压： 0.4V
最大栅源电压： ±10 V
封装类型： SOT-563
安装类型： 表面贴装
引脚数目： 6
通道模式： 增强
最大功率耗散： 150 mW
典型接通延迟时间： 115 ns
典型关断延迟时间： 300 ns
典型输入电容值@Vds： 9.5 pF @ 3 V
每片芯片元件数目： 2
宽度： 1.6mm
长度： 1.2mm
高度： 0.55mm
尺寸： 1.2 x 1.6 x 0.55mm
最高工作温度： +150 °C
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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