型号: SSM6N36FE(TE85L,F)
功能描述: MOSFET DUAL N-CH 20V .5A ES6
制造商: Toshiba
Rohs： Lead free / RoHS Compliant
标准包装： 4,000
FET 型 ： 2 N-Channel (Dual)
FET特点： Logic Level Gate
漏极至源极电压（VDSS）： 20V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C： 500mA
Rds（最大）@ ID，VGS： 630 mOhm @ 200mA, 5V
VGS（TH）（最大）@ Id： 1V @ 1mA
栅极电荷（Qg）@ VGS： 1.23nC @ 4V
输入电容（Ciss）@ Vds的： 46pF @ 10V
功率 - 最大： 150mW
安装类型 ： Surface Mount
包/盒 ： SOT-563, SOT-666
供应商器件封装： ES6 (1.6x1.6)
包装材料 ： Tape & Reel (TR)
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