型号: SSM6N36FE,LM(T
功能描述: MOSFET DUAL N-CH 20V .5A ES6
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
FET特点： Logic Level Gate
封装： Tape & Reel (TR)
安装类型： Surface Mount
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C： 500mA
的Vgs（th ） （最大）@ Id： 1V @ 1mA
供应商设备封装： ES6 (1.6x1.6)
开态Rds（最大）@ Id ，V GS： 630 mOhm @ 200mA, 5V
FET型： 2 N-Channel (Dual)
功率 - 最大： 150mW
标准包装： 4,000
漏极至源极电压（Vdss）： 20V
输入电容（Ciss ） @ VDS： 46pF @ 10V
闸电荷（Qg ） @ VGS： 1.23nC @ 4V
封装/外壳： SOT-563, SOT-666
RoHS指令： Lead free / RoHS Compliant
联系人：Alien
Q Q:
联系人：颜小姐
电话：13380394549
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：樊勉
电话：17621743344
Q Q:
联系人：罗先生
电话：19854773352
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：李先生
电话：13425103606
Q Q:
联系人：凌东升
电话：13923792283
Q Q:
联系人：马信潮
电话：15986802007
Q Q:
