型号:  SSM6N39TU,LF

功能描述:  MOSFET LowON Res MOSFET ID=1.6A VDSS=20V

制造商:  Toshiba

制造商:  Toshiba

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  UF-6

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  20 V

Id-连续漏极电流:  1.6 A

Rds On-漏源导通电阻:  87 mOhms, 87 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  350 mV

Vgs - 栅极-源极电压:  10 V

Qg-栅极电荷:  7.5 nC, 7.5 nC

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  500 mW

配置:  Dual

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

系列:  SSM6N39TU

晶体管类型:  2 N-Channel

商标:  Toshiba

正向跨导 - 最小值:  2.5 S, 2.5 S

产品类型:  MOSFET

工厂包装数量:  3000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  8.3 ns, 8.3 ns

典型接通延迟时间:  11.5 ns, 11.5 ns

单位重量:  7 mg