型号: SSM6N42FE(TE85L,F)
功能描述: Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
产品培训模块： Small Signal MOSFET
标准包装： 4,000
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 阵列
系列： -
包装： 带卷（TR）
FET 类型： 2 个 N 沟道（双）
FET 功能： 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）： 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 800mA
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 240 毫欧 @ 500mA，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 1V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 2nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 90pF @ 10V
功率 - 最大值： 150mW
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： SOT-563，SOT-666
供应商器件封装： ES6（1.6x1.6）
其它名称： SSM6N42FE (TE85L,F)SSM6N42FE(TE85LF)TRSSM6N42FETE85LF
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