型号: SSM6N48FU,RF(D
功能描述: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A
制造商: Toshiba (东芝)
FET 类型: 2 个 N 沟道（双）
FET 功能: 逻辑电平栅极，2.5V 驱动
漏源极电压（Vdss）: 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 100mA（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 3.2 欧姆 @ 10mA，4V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 1.5V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: -
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 15.1pF @ 3V
功率 - 最大值: 300mW
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装: US6
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