型号:  SSM6N61NU,LF

功能描述:  MOSFET Small-signal MOSFET 2 in 1 Nch ID: 4A

制造商:  Toshiba

制造商:  Toshiba

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  UDFN-6

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  20 V

Id-连续漏极电流:  4 A

Rds On-漏源导通电阻:  108 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  400 mV

Vgs - 栅极-源极电压:  8 V

Qg-栅极电荷:  3.6 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  2 W

配置:  Dual

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  0.75 mm

长度:  2 mm

产品:  MOSFETs

系列:  SSM6N61

晶体管类型:  2 N-Channel

类型:  Silicon N-Channel MOS

宽度:  2 mm

商标:  Toshiba

正向跨导 - 最小值:  12 S

产品类型:  MOSFET

工厂包装数量:  3000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  45 ns

典型接通延迟时间:  25 ns