型号:  SSM6N7002BFU,LF(T

功能描述:   MOSFET N-CH 60V 200MA US6

制造商:  Toshiba Semiconductor and Storage

Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C：  200mA

Drain to Source Voltage (Vdss)：  60V

FET Feature：  Logic Level Gate

FET Type：  2 N-Channel (Dual)

Input Capacitance (Ciss) @ Vds：  17pF @ 25V

Mounting Type：  Surface Mount

Package / Case：  US6

Power - Max：  300mW

Rds On (Max) @ Id, Vgs：  2.1 Ohm @ 500mA, 10V

Supplier Device Package：  US6 (2.0x2.1)

Vgs(th) (Max) @ Id：  3.1V @ 250µA

FET特点：  Logic Level Gate

封装：  Tape & Reel (TR)

安装类型：  Surface Mount

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：  200mA

的Vgs（th ） （最大）@ Id：  3.1V @ 250µA

供应商设备封装：  US6

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：  2.1 Ohm @ 500mA, 10V

FET型：  2 N-Channel (Dual)

功率 - 最大：  300mW

标准包装：  3,000

漏极至源极电压（Vdss）：  60V

输入电容（Ciss ） @ VDS：  17pF @ 25V

封装/外壳：  6-TSSOP, SC-88, SOT-363

其他名称：  SSM6N7002BFULFCT

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

工厂包装数量：  3000

晶体管极性：  N-Channel

连续漏极电流：  200 mA

安装风格：  SMD/SMT

RDS（ON）：  2.1 Ohms

功率耗散：  300 mW

封装/外壳：  SOT-363

典型关闭延迟时间：  14.5 ns

配置：  Dual

漏源击穿电压：  60 V

RoHS：  RoHS Compliant