型号: SSM6N7002KFU
功能描述: Toshiba 双 N沟道 MOSFET SSM6N7002KFU, 300 mA, Vds=60 V, 6引脚 SOT-363封装
制造商: Toshiba
通道类型： N
最大连续漏极电流： 300 mA
最大漏源电压： 60 V
最大漏源电阻值： 1.75 0hms
最大栅阈值电压： 2.1V
最小栅阈值电压： 1.1V
最大栅源电压： ±20 V
封装类型： SOT-363
安装类型： 表面贴装
引脚数目： 6
通道模式： 增强
最大功率耗散： 500 mW
最高工作温度： +150 °C
尺寸： 2 x 1.25 x 0.9mm
每片芯片元件数目： 2
长度： 2mm
汽车标准： AEC-Q101
典型栅极电荷@Vgs： 0.39 nC @ 4.5 V
典型输入电容值@Vds： 26 pF @ 10 V
典型关断延迟时间： 38 ns
典型接通延迟时间： 5.5 ns
高度： 0.9mm
宽度： 1.25mm
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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