型号: SSM6P15FE(TE85L,F)
功能描述: MOSFET LowON Res MOSFET ID=-.1A VDSS=-30V
制造商: Toshiba
制造商: Toshiba
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: ES6-6
通道数量: 2 Channel
晶体管极性: P-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 100 mA
Rds On-漏源导通电阻: 8 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.7 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
最小工作温度: -
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 150 mW
配置: Dual
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
高度: 0.55 mm
长度: 1.6 mm
系列: SSM6P15
晶体管类型: 2 P-Channel
宽度: 1.2 mm
商标: Toshiba
正向跨导 - 最小值: 20 mS
产品类型: MOSFET
工厂包装数量: 4000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 175 ns
典型接通延迟时间: 65 ns
单位重量: 3 mg
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