型号: SSM6P35FE,LM
功能描述:
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
FET 类型： 2 个 P 沟道（双）
FET 功能： 标准
漏源电压（Vdss）： 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 100mA
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 8 欧姆 @ 50mA，4V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 1V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 12.2pF @ 3V
功率 - 最大值： 150mW
工作温度： 150°C
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： SOT-563，SOT-666
供应商器件封装： ES6
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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