型号: SSM6P36FE,LM(T
功能描述: MOSFET DUAL P-CH 20V .33A ES6
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
FET特点: Logic Level Gate
封装: Tape & Reel (TR)
安装类型: Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C: 330mA
的Vgs(th ) (最大)@ Id: 1V @ 1mA
供应商设备封装: ES6 (1.6x1.6)
开态Rds(最大)@ Id ,V GS: 1.31 Ohm @ 100mA, 4.5V
FET型: 2 P-Channel (Dual)
功率 - 最大: 150mW
标准包装: 4,000
漏极至源极电压(Vdss): 20V
输入电容(Ciss ) @ VDS: 43pF @ 10V
闸电荷(Qg ) @ VGS: 1.2nC @ 4V
封装/外壳: SOT-563, SOT-666
RoHS指令: Lead free / RoHS Compliant
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