型号: SSM6P36FE,LM(T
功能描述: MOSFET DUAL P-CH 20V .33A ES6
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
FET特点： Logic Level Gate
封装： Tape & Reel (TR)
安装类型： Surface Mount
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C： 330mA
的Vgs（th ） （最大）@ Id： 1V @ 1mA
供应商设备封装： ES6 (1.6x1.6)
开态Rds（最大）@ Id ，V GS： 1.31 Ohm @ 100mA, 4.5V
FET型： 2 P-Channel (Dual)
功率 - 最大： 150mW
标准包装： 4,000
漏极至源极电压（Vdss）： 20V
输入电容（Ciss ） @ VDS： 43pF @ 10V
闸电荷（Qg ） @ VGS： 1.2nC @ 4V
封装/外壳： SOT-563, SOT-666
RoHS指令： Lead free / RoHS Compliant
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：13652405995
Q Q:
联系人：赵小姐
电话：13631261606
Q Q:
联系人：连
电话：18922805453
Q Q:
联系人：蔡经理，张小姐
电话：13378422395
Q Q:
联系人：陈先生，张女士
电话：13606207446
Q Q:
联系人：赵伟滨
电话：19926488141
Q Q:
联系人：Sam
Q Q:
联系人：辜先生
电话：13528816759
Q Q:
联系人：庄
电话：88888888
Q Q:
