型号: SSM6P47NU,LF(T
功能描述: Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
数据列表: SSM6P47NU -
标准包装: 3,000
类别: 分立半导体产品
家庭: FET - 阵列
系列: -
包装: 带卷(TR)
FET 类型: 2 个 P 沟道(双)
FET 功能: 逻辑电平门
漏源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 4A
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 95 毫欧 @ 1.5A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 1V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 4.6nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 290pF @ 10V
功率 - 最大值: 1W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 6-WDFN 裸露焊盘
供应商器件封装: 6-UDFN(2x2)
其它名称: SSM6P47NU,LFSSM6P47NULFSSM6P47NULF(TTRSSM6P47NULFTRSSM6P47NULFTR-ND
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