型号: SSM6N815R,LF
功能描述: MOSFET LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=100V
制造商: Toshiba
制造商: Toshiba
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TSOP-6F-6
通道数量: 2 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 2 A
Rds On-漏源导通电阻: 84 mOhms, 84 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 3.1 nC, 3.1 nC
最小工作温度: -
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.4 W
配置: Dual
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
晶体管类型: 2 N-Channel
商标: Toshiba
正向跨导 - 最小值: 4.8 S, 4.8 S
产品类型: MOSFET
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 21 ns, 21 ns
典型接通延迟时间: 7.5 ns, 7.5 ns
单位重量: 16 mg
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