型号:  SSM6N7002FU(TE85LF)

功能描述:   MOSFET N-CHANNEL 60V US6

制造商:  Toshiba

标准包装：  3,000

FET 型 ：  2 N-Channel (Dual)

FET特点：  Logic Level Gate

漏极至源极电压（VDSS）：  60V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：  200mA

Rds（最大）@ ID，VGS：  3 Ohm @ 500mA, 10V

VGS（TH）（最大）@ Id：  2.5V @ 250µA

栅极电荷（Qg）@ VGS：  -

输入电容（Ciss）@ Vds的：  17pF @ 25V

功率 - 最大：  300mW

安装类型 ：  Surface Mount

包/盒 ：  6-TSSOP, SC-88, SOT-363

供应商器件封装：  US6

包装材料 ：  Tape & Reel (TR)

FET特点：  Logic Level Gate

封装：  Tape & Reel (TR)

安装类型：  Surface Mount

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：  200mA

的Vgs（th ） （最大）@ Id：  2.5V @ 250µA

供应商设备封装：  US6

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：  3 Ohm @ 500mA, 10V

FET型：  2 N-Channel (Dual)

功率 - 最大：  300mW

标准包装：  3,000

漏极至源极电压（Vdss）：  60V

输入电容（Ciss ） @ VDS：  17pF @ 25V

封装/外壳：  6-TSSOP, SC-88, SOT-363

连续漏极电流：  0.2 A

栅源电压（最大值）：  �20 V

功率耗散：  0.3 W

安装：  Surface Mount

漏源导通电阻：  3 ohm

工作温度范围：  -55C to 150C

包装类型：  US

引脚数：  6

极性：  N

类型：  Power MOSFET

元件数：  2

工作温度分类：  Military

通道模式：  Enhancement

漏源导通电压：  60 V

弧度硬化：  No

晶体管极性：  :N Channel

Continuous Drain Current Id：  :200mA

Drain Source Voltage Vds：  :60V

On Resistance Rds(on)：  :3ohm

Rds(on) Test Voltage Vgs：  :10V

Threshold Voltage Vgs：  :2.5V

功耗：  :300mW

Operating Temperature Max：  :150°C

Transistor Case Style：  :US6

No. of Pins：  :6

MSL：  :-

SVHC：  :No SVHC (20-Jun-2013)

Continuous Drain Current Id, N Channel：  :200mA

Current Id Max：  :200mA

Drain Source Voltage Vds, N Channel：  :60V

Module Configuration：  :Dual

On Resistance Rds(on), N Channel：  :2.2ohm

端接类型：  :SMD

Voltage Vds Typ：  :60V

Voltage Vgs Rds on Measurement：  :10V