型号: SSM6N67NU,LF
功能描述: MOSFET LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=30V
制造商: Toshiba
制造商: Toshiba
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: UDFN-6
通道数量: 2 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 4 A
Rds On-漏源导通电阻: 39.1 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 400 mV
Vgs - 栅极-源极电压: 12 V, - 8 V
Qg-栅极电荷: 3.2 nC
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1 W
配置: Dual
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: Reel
系列: SSM6N67NU
商标: Toshiba
正向跨导 - 最小值: 6 S
产品类型: MOSFET
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 17 ns
典型接通延迟时间: 26 ns
单位重量: 8.500 mg
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