型号: SSM6N7002BFE,LM
功能描述: MOSFET ES6 S-MOS TRSTR Pd: 0.15W F: 1MHz
制造商: Toshiba
制造商: Toshiba
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: ES6-6
通道数量: 2 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 200 mA
Rds On-漏源导通电阻: 2.1 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Pd-功率耗散: 150 mW
配置: Dual
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
高度: 0.55 mm
长度: 1.6 mm
系列: SSM6N7002
晶体管类型: 2 N-Channel
宽度: 1.2 mm
商标: Toshiba
产品类型: MOSFET
工厂包装数量: 4000
子类别: MOSFETs
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