型号:  SSM6N55NU,LF(T

功能描述:  Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品

制造商:  Toshiba Semiconductor and Storage

数据列表：  SSM6N55NU -

特色产品：  Toshiba - SSM6N55NU SSM6N57NU Mosfets

标准包装：  3,000

类别：  分立半导体产品

家庭：  FET - 阵列

系列：  -

包装：  带卷（TR）

FET 类型：  2 个 N 沟道（双）

FET 功能：  逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）：  30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  4A

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：  46 毫欧 @ 4A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  2.5V @ 100µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：  2.5nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：  280pF @ 15V

功率 - 最大值：  1W

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  6-WDFN 裸露焊盘

供应商器件封装：  6-µDFN（2x2）

其它名称：  SSM6N55NU,LFSSM6N55NULFSSM6N55NULF(TTRSSM6N55NULFTRSSM6N55NULFTR-ND