型号:  SSM6N35FE(TE85L,F)

功能描述:   MOSFET DUAL N-CH 20V .18A ES6

制造商:  Toshiba

标准包装：  4,000

FET 型 ：  2 N-Channel (Dual)

FET特点：  Logic Level Gate

漏极至源极电压（VDSS）：  20V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：  180mA

Rds（最大）@ ID，VGS：  3 Ohm @ 50mA, 4V

VGS（TH）（最大）@ Id：  1V @ 1mA

栅极电荷（Qg）@ VGS：  -

输入电容（Ciss）@ Vds的：  9.5pF @ 3V

功率 - 最大：  150mW

安装类型 ：  Surface Mount

包/盒 ：  SOT-563, SOT-666

供应商器件封装：  ES6 (1.6x1.6)

包装材料 ：  Tape & Reel (TR)

动态目录：  N-Channel Logic Level Gate FETs###/catalog/en/partgroup/n-channel-logic-level-gate-fets/16803?mpart=SSM6N35FE(TE85L,F)&vendor=264&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称；

FET特点：  Logic Level Gate

封装：  Tape & Reel (TR)

安装类型：  Surface Mount

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：  180mA

的Vgs（th ） （最大）@ Id：  1V @ 1mA

供应商设备封装：  ES6 (1.6x1.6)

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：  3 Ohm @ 50mA, 4V

FET型：  2 N-Channel (Dual)

功率 - 最大：  150mW

标准包装：  4,000

漏极至源极电压（Vdss）：  20V

输入电容（Ciss ） @ VDS：  9.5pF @ 3V

封装/外壳：  SOT-563, SOT-666

其他名称：  SSM6N35FE(TE85LF)CT

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant