型号: SSP1N60B
功能描述: MOSFET N-Ch/600V/1a/12Ohm
制造商: Fairchild Semiconductor
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
Id-连续漏极电流: 1 A
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Rds On-漏源导通电阻: 12 Ohms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 30 V
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 34 W
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
封装: Tube
商标: Fairchild Semiconductor
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 35 ns
正向跨导 - 最小值: 0.97 S
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 45 ns
系列: SSP1N60
工厂包装数量: 50
典型关闭延迟时间: 25 ns
典型接通延迟时间: 14 ns
零件号别名: SSP1N60B_NL
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