型号: STAC1011-350
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 350W 36V 1030-1090 MHz LDMOS TRANSISTOR
制造商: STMicroelectronics
制造商: STMicroelectronics
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 是
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Id-连续漏极电流: 2 uA
Vds-漏源极击穿电压: 80 V
增益: 15 dB
输出功率: 350 W
最大工作温度: + 200 C
安装风格: Screw Mount
封装 / 箱体: STAC265B-3
封装: Tube
工作频率: 1.03 GHz to 1.09 GHz
系列: STAC1011-350
类型: RF Power MOSFET
商标: STMicroelectronics
通道数量: 1 Channel
Pd-功率耗散: 1.44 kW
产品类型: RF MOSFET Transistors
工厂包装数量: 90
子类别: MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
单位重量: 2.100 g
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