型号: STAC3933
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 350W 29dB 30MHz STAC N-Ch RF FET
制造商: STMicroelectronics
制造商: STMicroelectronics
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 是
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Id-连续漏极电流: 20 A
Vds-漏源极击穿电压: 250 V
增益: 29 dB
输出功率: 350 W
最小工作温度: - 65 C
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: STAC177B
封装: Tube
配置: Dual Common Source
工作频率: 30 MHz
系列: STAC3933
类型: RF Power MOSFET
商标: STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值: 8 S
Pd-功率耗散: 795 W
产品类型: RF MOSFET Transistors
工厂包装数量: 50
子类别: MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V
单位重量: 400 mg
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