型号:  STB11NM60-1

功能描述:  N-Channel 650 V 0.45 Ohm 160 W Power Mosfet - I2PAK-3

制造商:  STMicroelectronics

系列:  MDmesh™

FET类型:  N 沟道

技术:  MOSFET（金属氧化物）

DraintoSourceVoltage(Vdss):  650V

电流-连续漏极（Id）（25°C时）:  11A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）:  10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）:  5V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:  30nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:  1000pF @ 25V

Vgs（最大值）:  ±30V

功率耗散（最大值）:  160W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）:  450 毫欧 @ 5.5A，10V

工作温度:  -65°C ~ 150°C（TJ）

安装类型:  通孔

封装/外壳:  TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA

封装形式Package:  I2PAK

极性Polarity:  N-CH

漏源极击穿电压VDSS:  600V

连续漏极电流ID:  11A

无铅情况/RoHs:  无铅/符合RoHs