型号: STB19NB20
功能描述: N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH] MOSFET
制造商: STMicroelectronics
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 200 V
闸/源击穿电压: +/- 30 V
漏极连续电流: 19 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.18 Ohms
配置: Single
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: D2PAK
封装: Tube
下降时间: 10 ns
最小工作温度: - 60 C
功率耗散: 125 W
上升时间: 15 ns
工厂包装数量: 50
联系人：郑小姐
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Q Q:
联系人：蔡经理，张小姐
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Q Q:
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联系人：肖瑶，树平
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Q Q:
联系人：曾小姐
Q Q:
联系人：陈小姐
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Q Q:
