型号: STB20NM60A-1
功能描述: Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
制造商: stmicroelectronics
包装： 3I2PAK
通道模式： Enhancement
最大漏源电压： 600 V
最大连续漏极电流： 20 A
RDS -于： 290@10V mOhm
最大门源电压： ±30 V
典型导通延迟时间： 20 ns
典型上升时间： 16 ns
典型关闭延迟时间： 46 ns
工作温度： -55 to 150 °C
安装： Through Hole
标准包装： Rail / Tube
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