型号: STB20NM65N
功能描述:
制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 650 V
闸/源击穿电压: +/- 25 V
漏极连续电流: 19 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.19 Ohms
配置: Single
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: D2PAK
封装: Reel
下降时间: 20 ns
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 160 W
上升时间: 10 ns
工厂包装数量: 1000
典型关闭延迟时间: 80 ns
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