型号: STB21N65M5
功能描述: STMicroelectronics/分立半导体产品
制造商: STMicroelectronics
其它有关文件： STB21N65M5 View All Specifications
产品培训模块： 5th Generation High Voltage Mosfet Technology
标准包装： 1,000
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： MDmesh? V
包装： 带卷（TR）
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 标准
漏源极电压（Vdss）： 650V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 17A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 190 毫欧 @ 8.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 50nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 1950pF @ 100V
功率 - 最大值： 125W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装： D2PAK
其它名称： 497-10562-2
联系人：董先生
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