型号:  STB23NM60ND

功能描述:  MOSFET N-CH 600V 0.150 Ohm 19.5A FDmesh II MOS

制造商:  STMicroelectronics

制造商:  STMicroelectronics

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  D2PAK-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  600 V

Id-连续漏极电流:  19.5 A

Rds On-漏源导通电阻:  180 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  3 V

Vgs - 栅极-源极电压:  10 V

Qg-栅极电荷:  69 nC

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  150 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  4.6 mm

长度:  10.4 mm

系列:  STB23NM60ND

晶体管类型:  1 N-Channel Power MOSFET

宽度:  9.35 mm

商标:  STMicroelectronics

下降时间:  42 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  19 ns

工厂包装数量:  1000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  92 ns

典型接通延迟时间:  21 ns

单位重量:  4 g