型号:  STB36NM60N

功能描述:  STMicroelectronics/分立半导体产品

制造商:  STMicroelectronics

其它有关文件：  STB36NM60N View All Specifications

产品培训模块：  Automotive Grade Transistors and Discretes

标准包装：  1,000

类别：  分立半导体产品

家庭：  FET - 单

系列：  MDmesh? II

包装：  带卷（TR）

FET 类型：  MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：  逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）：  600V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  29A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：  105 毫欧 @ 14.5A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：  83.6nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：  2722pF @ 100V

功率 - 最大值：  210W

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB

供应商器件封装：  D²PAK

其它名称：  497-12972-2