型号: STB43N60DM2
功能描述:
制造商: STMicroelectronics
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 34A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 56nC @ 10V
Vgs（最大值）： ±25V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 2500pF @ 100V
功率耗散（最大值）： 250W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 93 毫欧 @ 17A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： D2PAK
封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：蔡经理，张小姐
电话：13378422395
Q Q:
联系人：杜先生
电话：13366976080
Q Q:
联系人：吴玉华
电话：13027952691
Q Q:
联系人：张先生，唐先生，张小姐
电话：18475619159
Q Q:
