型号:  STB60NF06LT4

功能描述:  MOSFET

制造商:  STMicroelectronics

系列：  STB

高度：  4.6 mm

长度：  10.4 mm

类型：  MOSFET

宽度：  9.35 mm

最大工作温度：  + 175 C

最小工作温度：  - 65 C

安装风格：  SMD/SMT

配置：  Single

下降时间：  30 ns

典型接通延迟时间：  35 ns

上升时间：  220 ns

Vgs-栅极-源极电压：  15 V

Pd-功率耗散：  110 W

通道数量：  1 Channel

Id-连续漏极电流：  60 A

Vds-漏源极击穿电压：  60 V

晶体管类型：  1 N-Channel

RdsOn-漏源导通电阻：  14 mOhms

通道模式：  Enhancement

晶体管极性：  N-Channel

典型关闭延迟时间：  55 ns

正向跨导-最小值：  20 S

FET类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：  60A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：  5V，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：  1V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  66nC @ 4.5V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：  2000pF @ 25V

Vgs（最大值）：  ±15V

功率耗散（最大值）：  110W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：  14 毫欧 @ 30A，10V

工作温度：  -65°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  TO-263-3，D²Pak（2引线+接片），TO-263AB

封装形式Package：  D2PAK

极性Polarity：  N-CH

漏源极击穿电压VDSS：  60V

连续漏极电流ID：  60A

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs