型号: STB60NS04ZT4
功能描述:
制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 33 V
闸/源击穿电压: 18 V
漏极连续电流: 60 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.015 Ohms
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: D2PAK
封装: Reel
正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 20 S
功率耗散: 140 W
工厂包装数量: 1000
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